电工技术学报  2021, Vol. 36 Issue (4): 810-819    DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191758
电力电子 |
高压大电流(4 500V/600A)IGBT芯片研制
刘国友1,2, 黄建伟1,3, 覃荣震1,3, 朱春林1,3
1.新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲 412001;
2.株洲中车时代电气股份有限公司 株洲 412001;
3.株洲中车时代半导体有限公司 株洲 412001
Development of Large Size IGBT Chip with High Power Capacity of 4 500V/600A
Liu Guoyou1,2, Huang Jianwei1,3, Qin Rongzhen1,3, Zhu Chunlin1,3
1. State key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices Zhuzhou 412001 China;
2. Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd Zhuzhou 412001 China;
3. Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co. Ltd Zhuzhou 412001 China