电工技术学报
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本刊包含 PACS 号为 "TN3" 的文章：
1074
任宏宇, 余瑶怡, 杜雄, 刘俊良, 周君洁
基于优化长短期记忆神经网络的IGBT寿命预测模型
电工技术学报 2024 Vol.39 (4): 1074-1086 [
摘要
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4947
王来利, 赵成, 张彤宇, 闫飞飞
碳化硅功率模块封装技术综述
电工技术学报 2023 Vol.38 (18): 4947-4962 [
摘要
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784
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2850
彭程, 李学宝, 范迦羽, 赵志斌, 崔翔
压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究
电工技术学报 2023 Vol.38 (11): 2850-2860 [
摘要
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1900
刘基业, 郑泽东, 李驰, 王奎, 李永东
电压自平衡碳化硅MOSFET间接串联功率模块
电工技术学报 2023 Vol.38 (7): 1900-1909 [
摘要
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108
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131
任宏宇, 余瑶怡, 杜雄, 刘俊良, 周君洁
基于优化长短期记忆神经网络的IGBT寿命预测模型
电工技术学报 0 Vol. (): 131-131 [
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84
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275
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5214
李鑫, 罗毅飞, 史泽南, 王瑞田, 肖飞
一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型
电工技术学报 2022 Vol.37 (20): 5214-5226 [
摘要
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4911
尚海, 梁琳, 王以建, 杨英杰
6.5kV SiC MOSFET 模块加权优化设计与实验研究
电工技术学报 2022 Vol.37 (19): 4911-4922 [
摘要
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4664
赵方玮, 李艳, 魏超, 张楠, 郑妍璇
GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析
电工技术学报 2022 Vol.37 (18): 4664-4675 [
摘要
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3845
张玉斌, 温英科, 阮琳
全浸式蒸发冷却IGBT电热耦合模型研究
电工技术学报 2022 Vol.37 (15): 3845-3856 [
摘要
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3016
蔡雨萌, 赵志斌, 徐子珂, 孙鹏, 李学宝
阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容
C
-
V
特性的误差分析及调控方法
电工技术学报 2022 Vol.37 (12): 3016-3027 [
摘要
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244
赵子轩, 陈杰, 邓二平, 李安琦, 黄永章
负载电流对IGBT器件中键合线的寿命影响和机理分析
电工技术学报 2022 Vol.37 (1): 244-253 [
摘要
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192
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2471
彭程, 李学宝, 张冠柔, 赵志斌, 崔翔
压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现
电工技术学报 2021 Vol.36 (12): 2471-2481 [
摘要
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219
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341
庄桂元, 张兴, 刘威, 庄加才
带飞跨电容的三电平拓扑中SiC MOSFET过电压与过电流保护
电工技术学报 2021 Vol.36 (2): 341-351 [
摘要
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1952
贾英杰, 肖飞, 罗毅飞, 刘宾礼, 黄永乐
基于场路耦合的大功率IGBT多速率电热联合仿真方法
电工技术学报 2020 Vol.35 (9): 1952-1961 [
摘要
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310
贾英杰, 罗毅飞, 肖飞, 刘宾礼, 黄永乐
一种符合欧姆定律的IGBT等效电阻模型
电工技术学报 2020 Vol.35 (2): 310-317 [
摘要
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528
员翠平, 刘树林, 赵倩, 张少雄, 裴晋军
功率PMOS管的有源泄放驱动电路研究
电工技术学报 2019 Vol.34 (zk2): 528-533 [
摘要
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3408
周静, 康升扬, 李辉, 姚然, 李金元
内部压力不均对压接式IGBT器件电热特性的影响分析
电工技术学报 2019 Vol.34 (16): 3408-3415 [
摘要
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717
王学梅, 张波, 吴海平
基于失效物理的功率器件疲劳失效机理
电工技术学报 2019 Vol.34 (4): 717-727 [
摘要
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293
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275
李辉, 黄樟坚, 廖兴林, 钟懿, 王坤
一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计
电工技术学报 2019 Vol.34 (2): 275-285 [
摘要
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4277
张经纬, 邓二平, 赵志斌, 李金元, 黄永章
压接型IGBT器件单芯片子模组疲劳失效的仿真
电工技术学报 2018 Vol.33 (18): 4277-4285 [
摘要
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4286
王月月, 陈民铀, 赖伟, 陈一高, 罗丹
基于MOSFET外特性参量的自适应模糊神经网络状态评估模型
电工技术学报 2018 Vol.33 (18): 4286-4294 [
摘要
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3564
张蕾, 曹鑫, 邓智泉, 周京星
一种单绕组无轴承开关磁阻电机绕组开路故障容错控制策略
电工技术学报 2018 Vol.33 (15): 3564-3571 [
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1472
赵勇兵, 程哲, 张韵, 伊晓燕, 王国宏
具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
电工技术学报 2018 Vol.33 (7): 1472-1477 [
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1302
金淼鑫, 高强, 徐殿国
一种基于BJT的耐200℃高温碳化硅MOSFET驱动电路
电工技术学报 2018 Vol.33 (6): 1302-1311 [
摘要
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162
梁美, 李艳, 郑琼林, 赵红雁
桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路
电工技术学报 2017 Vol.32 (18): 162-174 [
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183
刘宾礼, 肖飞, 罗毅飞, 汪波, 熊又星
基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究
电工技术学报 2017 Vol.32 (16): 183-193 [
摘要
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1
刘宾礼, 罗毅飞, 肖飞, 汪波
适用于器件级到系统级热仿真的IGBT传热模型
电工技术学报 2017 Vol.32 (13): 1-13 [
摘要
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50
汪波, 罗毅飞, 刘宾礼, 普靖
沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型
电工技术学报 2017 Vol.32 (12): 50-57 [
摘要
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刘宾礼, 罗毅飞, 肖飞, 熊又星, 贾英杰
基于传热动力学作用特征的IGBT结温预测数学模型
电工技术学报 2017 Vol.32 (12): 79-87 [
摘要
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201
邓二平, 赵志斌, 张朋, 黄永章, 林仲康
压接型IGBT器件内部压力分布
电工技术学报 2017 Vol.32 (6): 201-208 [
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