电工技术学报  2018, Vol. 33 Issue (10): 2365-2375    DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.170180
电力电子与电力传动 |
中高压大功率IGBT数字有源门极开环分级驱动技术
胡亮灯, 肖明恺, 楼徐杰
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 武汉 430033;
Open-Loop Hierarchical Control Technology of High-Power IGBT Digital Active Gate Drive
Hu Liangdeng, Xiao Mingkai, Lou Xujie
National Key Laboratory of Science and Technology on Vessel Integrated Power System Naval University of Engineering Wuhan 430033 China;
全文: PDF (47265 KB)  
输出: BibTeX | EndNote (RIS)      
摘要 在中高压、大容量电力电子变流系统中,大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)是变流器的关键器件,而门极驱动技术是影响IGBT功率器件及其组成的变流系统发挥最优性能的关键因素。首先,对IGBT门极驱动控制技术进行理论分析,确定开环分级点;其次,给出基于FPGA的数字有源门极开环分级驱动器具体实现电路;最后,基于设计的数字驱动器和Concept驱动器进行对比实验,结果表明在不恶化其他参数(反向恢复电流、关断电压尖峰、diC/dt、dvCE/dt)下,所研究的数字分级驱动器可减少开通关断延时。
服务
把本文推荐给朋友
加入我的书架
加入引用管理器
E-mail Alert
RSS
作者相关文章
胡亮灯
肖明恺
楼徐杰
关键词 大功率IGBT数字驱动器开环分级    
Abstract:The high-power IGBT is a key component in the medium-high voltage and large-capacity power electronic converter system, while the gate drive technology is a critical factor influencing the performance of IGBT devices and converter system. This paper theoretically analyzed the IGBT gate drive control technology, proposed an open-loop hierarchical drive scheme, and designed a specific digital drive circuit based on the FPGA. The comparisons of the designed driver with the Concept driver through experiments show that the designed driver can effectively reduce switching delay time without degrading other parameters (reverse recovery current, turn-off overvoltage, diC/dt, dvCE/dt).
Key wordsHigh-power insulation gate bipolar transistor    digital hierarchical drive    open-loop    hierarchical   
收稿日期: 2017-02-27      出版日期: 2018-05-24
PACS: TM46  
基金资助:国家自然科学基金(51177170、51477180、51377167)和国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)资助项目
通讯作者: 肖明恺 男,1993年生,硕士研究生,研究方向为电力电子及电力传动。E-mail: hgdxmk@163.com   
作者简介: 胡亮灯 男,1986年生,博士,讲师,研究方向为电力电子及电力传动。E-mail: hldhgd@163.com
引用本文:   
胡亮灯, 肖明恺, 楼徐杰. 中高压大功率IGBT数字有源门极开环分级驱动技术[J]. 电工技术学报, 2018, 33(10): 2365-2375. Hu Liangdeng, Xiao Mingkai, Lou Xujie. Open-Loop Hierarchical Control Technology of High-Power IGBT Digital Active Gate Drive. Transactions of China Electrotechnical Society, 2018, 33(10): 2365-2375.
链接本文:  
https://dgjsxb.ces-transaction.com/CN/10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.170180          https://dgjsxb.ces-transaction.com/CN/Y2018/V33/I10/2365