电工技术学报  2018, Vol. 33 Issue (6): 1302-1311    DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.171072
电力电子 |
一种基于BJT的耐200℃高温碳化硅MOSFET驱动电路
金淼鑫, 高强, 徐殿国
哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院 哈尔滨 150001
A 200℃ Silicon Carbide MOSFET Gate Driving Circuit Based on Bipolar Junction Transistor
Jin Miaoxin, Gao Qiang, Xu Dianguo
School of Electrical Engineering and Automation Harbin Institute of Technology Harbin 150001 China