%A 梁美, 李艳, 郑琼林, 赵红雁 %T 高速SiC MOSFET开关特性的测试方法 %0 Journal Article %D 2017 %J 电工技术学报 %R 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L70526 %P 87-95 %V 32 %N 14 %U {https://dgjsxb.ces-transaction.com/CN/abstract/article_4597.shtml} %8 2017-07-25 %X 为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。